Représentation et Distribution en Semiconducteurs

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Créé en 2004 en Finlande par trois scientifiques de l’institut Loffe de Saint Petersburg, sale Optogan dont le cœur de la technologie est l’épitaxie a breveté la technologie d’épitaxie InGaN : Epimaxx ™ qui repose sur les travaux du prix Nobel de Physique 2000 : Zhores Alferov, lui aussi de l’institut Loffe (travaux de développement des hétérostructures dans les semiconducteurs pour les applications de liaisons hautes vitesses et l’optoélectronique).

Optogan développe et produit à des prix très compétitifs des leds de puissance en blanc et bleu Royal sous la forme de monochip en boitiers PLCC et de COB (Chips on Board) ainsi qu’une nouvelle famille de COB : la X10, remarquable de part sa modularité et simplicité d’utilisation.

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